Υπόστρωμα γκοφρέτας χαλαζία
Τα υποστρώματα Quartz Wafer είναι γκοφρέτες που κατασκευάζονται κυρίως από υψηλής{0}καθαρότητας χαλαζία (SiO2), που χρησιμοποιούνται ευρέως σε ημιαγωγούς, οπτοηλεκτρονικά, μικρο-ηλεκτρομηχανικά συστήματα (MEMS), οπτικές συσκευές και άλλα πεδία.
Περιγραφή
Υλικές Ιδιότητες
- Υψηλή καθαρότητα:Τυπικά κατασκευασμένο από συνθετικό χαλαζία (π.χ. λιωμένο πυρίτιο), με εξαιρετικά υψηλή καθαρότητα (Μεγαλύτερη ή ίση με 99,99%) και ελάχιστες ακαθαρσίες για την αποφυγή επηρεασμού της απόδοσης της συσκευής.
- Θερμική σταθερότητα:Χαμηλός συντελεστής θερμικής διαστολής (≈0,55×10-6/βαθμός) και υψηλή{2}}αντίσταση στη θερμοκρασία (σημείο μαλάκυνσης ~1600 βαθμοί), κατάλληλος για διεργασίες υψηλής{{4} θερμοκρασίας.
- Οπτική απόδοση:Ευρύ φάσμα μετάδοσης (UV έως IR), με εξαιρετική διαπερατότητα UV, ιδανικό για φωτομάσκες, φακούς κ.λπ.
- Χημική αδράνεια:Ανθεκτικό σε οξέα και αλκάλια (εκτός από υδροφθορικό οξύ), κατάλληλο για διαδικασίες υγρής χάραξης.
- Ηλεκτρική μόνωση:High resistivity (>10¹6 Ω·cm), ιδανικό για μόνωση υποστρωμάτων ή συσκευών υψηλής-συχνότητας.
Εφαρμογές
Βιομηχανία Ημιαγωγών
- Υποστρώματα Photomask
- Στοιχεία λιθογραφίας EUV
- Φορείς επεξεργασίας γκοφρέτας
Φωτονική & Οπτοηλεκτρονική
- Υποστρώματα οπτικών κυματοδηγών
- Στερέωση διόδου λέιζερ
- Στοιχεία κβαντικών υπολογιστών
Ειδικές Εφαρμογές
- Βάσεις αντηχείου MEMS
- Οπτικά διαστημικού τηλεσκοπίου
- Συστήματα λέιζερ υψηλής-ενέργειας
Διαδικασία Παραγωγής
- Σύνθεση πρώτων υλών:Παράγεται μέσω εναπόθεσης ατμών (π.χ. οξείδωση SiCl4) ή καθαρισμού φυσικού χαλαζία.
- Τήξη και σχηματισμός:Τήξη σε υψηλή-θερμοκρασία που ακολουθείται από ψύξη σε πλινθώματα ή απευθείας έλξη σε ράβδους.
- Τομή:Κόβεται σε λεπτές γκοφρέτες χρησιμοποιώντας πριόνια διαμαντιού ή κοπή με λέιζερ.
- Τρίψιμο και στίλβωση:Η χημική μηχανική στίλβωση (CMP) επιτυγχάνει ομαλότητα σε επίπεδο νανομέτρων-.
- Καθαρισμός και επιθεώρηση:Αφαίρεση σωματιδίων και ρύπων μετάλλων, ακολουθούμενη από έλεγχο ελαττωμάτων και παραμέτρων.
Σκηνικά θέατρου
|
Φυσικές Ιδιότητες |
Αξίες |
|
Καθαρότητα |
＞99.99% |
|
Πυκνότητα |
2,2 g/cm3 |
|
Διαφάνεια |
＞90% |
|
Σκληρότητα Mohs |
5.5--6.5 |
|
Σημείο Παραμόρφωσης |
1280 μοίρες |
|
Σημείο Μαλακώματος |
1750 μοίρες |
|
Σημείο ανόπτησης |
1250 μοίρες |
|
Ειδική Θερμότητα (20 - 350 βαθμός ) |
670 J/kg. βαθμός |
|
Θερμική αγωγιμότητα (20 μοίρες) |
1,4 W/m. βαθμός |
|
Θερμική αγωγιμότητα (w/mk, 1000 μοίρες) |
1.0-1.2 |
|
Δείκτης Διάθλασης |
1.4585 |
|
Συντελεστής Θερμικής Διαστολής |
5.510 -7cm/cm. βαθμός |
|
Ζεστή - θερμοκρασία εργασίας |
1750--2050 μοίρες |
|
Βραχυπρόθεσμη - Θερμοκρασία εξυπηρέτησης |
1450 μοίρες |
|
Θερμοκρασία μακροχρόνιας υπηρεσίας - |
1100 μοίρες |
|
Χημικές ιδιότητες |
Αξίες |
|
Ανθεκτικό στα οξέα |
Ισχυρό οξύ (εκτός HF), Ισχυρό αλκάλιο, οργανικό διάλυμα |
|
Υψηλές θερμοκρασίες Ανθεκτικό στη διάβρωση |
Εξοχος |
|
Περιεκτικότητα σε ακαθαρσίες μετάλλων |
＜5 ppm |
|
Ηλεκτρικές Ιδιότητες |
Αξίες |
|
Αντίσταση |
7107Ω.εκ |
|
Αντοχή μόνωσης |
250~400Kv/cm |
|
Διηλεκτρική σταθερά |
3.7~3.9 |
|
Διηλεκτρικός Συντελεστής Απορρόφησης |
＜410-4 |
|
Συντελεστής Διηλεκτρικής Απώλειας |
＜110-4 |
|
Μηχανικές Ιδιότητες |
Αξίες |
|
Αντοχή σε Θλίψη |
1100 MPa |
|
Αντοχή κάμψης |
67 MPa |
|
Αντοχή εφελκυσμού |
48 MPa |
|
Αναλογία Poisson |
0.14~0.17 |
|
Modulus του Young |
72000 MPa |
|
Μέτρο διάτμησης |
31000 MPa |
FAQ
Ε1: Ποιο είναι το μέγιστο διαθέσιμο μέγεθος υποστρωμάτων γκοφρέτας χαλαζία;
Α: Τυπική παραγωγή διαμέτρου έως 300 mm, με πρωτότυπα 450 mm διαθέσιμα για Ε&Α.
Ε2: Μπορείτε να παρέχετε προσαρμοσμένα προφίλ πάχους;
Α: Ναι - μπορούμε να δημιουργήσουμε:
- Σφηνωμένα γκοφρέτες (για εφαρμογές λέιζερ)
- Εκλεπτυσμένα σχέδια ακριβείας
- Mesa-δομημένες επιφάνειες
Ε3: Ποιο πρωτόκολλο καθαρισμού προτείνετε;
Α: Τυπική διαδικασία καθαρισμού RCA:
1. Οργανική αφαίρεση (H2SO4:H2O2)
2. Ιοντικός καθαρισμός (HCl:H2O2)
3. HF-διαρκεί για υδρόφιλη επιφάνεια
Δημοφιλείς Ετικέτες: Υπόστρωμα γκοφρέτας χαλαζία, Κίνα κατασκευαστές υποστρώματος γκοφρέτας χαλαζία, προμηθευτές, εργοστάσιο
Αποστολή ερώτησής
Μπορεί επίσης να σας αρέσει
